在我們的生活中，我們創(chuàng)造了無數(shù)的記憶，但其中許多我們會忘記。為什么呢？與記憶隨時間簡單衰減的普遍假設(shè)相反，“遺忘”可能不是一件壞事——根據(jù)科學家的說法，這可能代表一種學習形式。

都柏林圣三一大學1月13日消息

這一新理論背后的科學家——近日在領(lǐng)先的國際期刊《自然綜述：神經(jīng)科學》（Nature Reviews Neuroscience）上概述了這一理論，該理論認為，我們獲取特定記憶能力的變化是基于環(huán)境反饋和可預測性的。遺忘不是一種缺陷或錯誤，而是大腦的一種功能性特征，使其能夠與環(huán)境動態(tài)互動。

研究于2022年1月13日發(fā)表在《Nature Reviews Neuroscience》（最新影響因子：34．870）雜志上

在一個不斷變化的世界，比如我們和許多其他生物生活的世界，忘記一些記憶可能是有益的，因為這可以導致更靈活的行為和更好的決策。如果記憶是在與當前環(huán)境不完全相關(guān)的環(huán)境中獲得的，遺忘它們可以是一個積極的改變，提高我們的幸福感。

因此，實際上，科學家們認為，我們在學會忘記一些記憶的同時，保留了其他重要的記憶。遺忘當然是以信息丟失為代價的，但是越來越多的研究表明，至少在某些情況下，遺忘是由于記憶訪問通路的改變而不是記憶丟失。

這一新理論由愛爾蘭都柏林圣三一大學（Trinity College Dublin，簡稱三一學院）生物化學與免疫學學院和三一學院神經(jīng)科學研究所副教授  Tomás Ryan  博士和多倫多大學心理學系教授、多倫多病童醫(yī)院  Paul Frankland  博士提出。

Tomás Ryan 博士

Ryan 博士和 Frankland 博士都是加拿大國際研究組織 CIFAR 的研究員，該組織通過其“兒童與大腦發(fā)育”（Child ＆ Brain Development）項目促成了這一合作，該項目正在這一領(lǐng)域進行跨學科的工作。

Paul Frankland 博士

Ryan 博士的研究團隊位于三一學院生物醫(yī)學科學研究所（TBSI），他說：

“記憶被存儲在稱為‘印跡細胞’（engram cells）的神經(jīng)元集合中，這些記憶的成功回憶涉及這些細胞集合的重新激活。其邏輯延伸是，當印跡細胞無法重新激活時，就會發(fā)生遺忘。記憶本身仍然存在，但如果無法激活特定的細胞集合，則無法調(diào)用它們。就好像記憶存儲在保險箱中，但你不記得解鎖密碼�！�

“我們的新理論提出，遺忘是由于神經(jīng)通路重塑將印跡細胞從可訪問狀態(tài)切換到不可訪問狀態(tài)。由于遺忘率受環(huán)境條件的影響，我們認為遺忘實際上是一種學習形式，可以改變記憶的可訪問性。符合環(huán)境以及它的可預測性�！�

Frankland 博士補充說：

“我們的大腦有多種遺忘的方式，但所有這些方式都會使記憶印跡——記憶的物理體現(xiàn)——更難獲取�！�

在談到疾病中的病理性遺忘時，Ryan 博士和 Frankland 博士指出：

“重要的是，我們相信這種‘自然遺忘’在某些情況下是可逆的，而在疾病狀態(tài)下，比如阿爾茨海默病患者，這些自然遺忘機制被劫持了，從而大大降低了印跡細胞的可及性，導致病理性記憶喪失�！�

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